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CLF3H0060-10寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管

發布于:2023-11-21 10:07:38

品牌名稱:Ampleon

重要參數:

頻率:1-425MHz

功率:10W

封裝:SOT1227A

應用:DC~6.0 GHz頻率范圍

  • 產品詳情

選型:

CLF3H0060-10;CLF3H0060S-10

CLF3H0060-30;CLF3H0060S-30

CLF3H0035-100 ;CLF3H0035S-100



CLF3H0060-10;CLF3H0060S-10

CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管,可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝,支持連續波和脈沖應用。

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CLF3H0060-30 ;CLF3H0060S-30

CLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管,可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝,支持連續波和脈沖應用。

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CLF3H0035-100 ;CLF3H0035S-100

CLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN HEMT 晶體管,可在 DC 至 3.5 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝,支持連續波和脈沖應用。

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參數

象征參數條件最小值典型值/否麥克斯單位
f范圍頻率范圍
0
6000兆赫
PL(1分貝)1 dB增益壓縮時的標稱輸出功率

10
W
測試信號:脈沖連續波
VDS漏源電壓PL= 10 瓦 [0]
50
V
Gp功率增益PL= 10 瓦 [0]18.820.1
分貝
RL系列輸入回波損耗PL= 10 瓦 [0]
-15
分貝
ηD排水效率PL= 10 瓦 [0]5763
%


特點和優勢:

10 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT

高效率

低熱阻

出色的堅固性

專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶操作而設計

支持 50 V 的 10 W GaN-SiC HEMT,采用無與倫比的配置,采用氣腔陶瓷封裝

在易于應用的軟件包中提供敏捷的性能

有關 RoHS 合規性,請參閱 Ampleon 網站上的產品詳細信息

ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網站上找到


應用:

寬帶戰術通信

寬帶對策

儀表放大器

UHF、L 和 S 波段雷達


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