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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導通電阻、快速開關、抵御單粒子效應能力等特點。廣泛應用于DC-DC轉換器、電力推進和電機驅動領域，在高輻射環境下表現穩定可靠。已有更優產品JANSR2N7584T1推出。

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  VY1222M47Y5UQ6TV0陶瓷圓片電容器VISHAY 2024-07-22 10:22:18

  VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產的高頻陶瓷圓片電容器，電容值0.0022uF，公差±20%，采用徑向端接，引線直徑0.6毫米，間距10毫米。設計由兩面鍍銀的陶瓷盤組成，連接引線為鍍錫銅包鋼，封裝為阻燃環氧樹脂，符合UL 94 V-o標準。符合IEC 60384-14標準，適用于X1和Y1類安全電容器，主要用于行對行濾波、線路對地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。