LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架構的通信處理器,屬于LS1系列,專為無風扇、小尺寸的企業級和消費級網絡應用設計。它們配備了雙Arm Cortex-A7核心,最高頻率可達1.2 GHz,支持虛擬化和高性能計算,提供廣泛的集成度和能效。這兩款處理器還具備先進的安全特性,支持多種工業協議,并且與LS1021A處理器在引腳和軟件上兼容。作為NXP EdgeVerse?邊緣計算平臺的一部分,它們在網絡、PCIe、內存控制和安全引擎等方面提供了豐富的功能和擴展性。
Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態電壓抑制器(TVS)二極管,具有1500W的高脈沖功率和快速響應時間,適用于保護電子設備免受感性切換、射頻感應或雷擊效應的影響。這些產品提供5.5V至185V的工作電壓范圍,采用密封的DO-13金屬封裝,并提供符合MIL-PRF-19500/507標準的軍事等級選項以及RoHS合規的商業等級。它們廣泛應用于ESD、EFT和雷擊保護,具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性,是高可靠性應用的理想選擇。
Microsemi公司生產的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產品,適用于軍事和商業應用,具有無空隙的密封玻璃封裝和內部冶金鍵合,提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇,標準公差為±5%,更緊密公差選項為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內工作,能夠耗散高達5瓦特的功率,具有優秀的電壓調節能力和ESD抗性,且固有輻射硬度,適合極端環境下的應用。
1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級超快速恢復玻璃整流器,具備無空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內部冶金鍵合等特性,提供50V至150V的工作峰值反向電壓,支持高達125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流,具有30ns的快速反向恢復時間,適用于軍事、航天和高性能開關電源等高可靠性應用領域。
1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列,設計用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響,具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性,適用于高頻數據線、RS-232/RS-422接口網絡、以太網和計算機I/O端口等應用,并提供符合MIL-PRF19500/474標準的篩選選項。
Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調節二極管是一系列0.5瓦特的器件,提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇,具有10%的標準公差。這些器件以其高源阻抗、內部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱,能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內穩定調節電流。它們提供靈活的安裝選項,對ESD不敏感,并且具有固有的輻射硬度,適用于需要精確電流控制的電子應用。
LS1012A是一款低功耗處理器,專為電池或USB供電、空間受限的網絡和物聯網應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心,運行速度達1GHz,功耗僅為1W,支持線速網絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容,屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口,以及多種外設和安全功能,封裝為211 FC-LGA,9.6x9.6 mm。
OX200 - DK是12V直流驅動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計,特點有頻率穩定性高(±5.0ppb)、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規。電氣參數包括供電電壓范圍、輸出特性,還有多種頻率穩定性相關參數。
Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器,額定電壓為15000V,電容值范圍從0.0005到0.500uf,提供±2%至20%的容差選項,工作溫度范圍為-55°C至85°C,絕緣電阻為25至50k ΩF,損耗因子在1,000Hz時為0.6%,測試電壓為額定電壓的150%,適用于高壓電路。
Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數字信號處理器,專為5G基礎設施和定制通信系統設計,具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力,適用于網絡監聽、小型無線電單元和中繼器等應用,提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。
NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器,專為汽車儀表盤和工業應用設計,具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構,支持雙WVGA顯示和HUD變形,集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性,滿足ISO26262 ASIL-B標準,并提供豐富的軟件支持和開發工具。
PDI VC29系列VCXO可在苛刻環境下精確輸出頻率,適用于低噪、低抖、高振環境。規格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩定性、溫度、電壓等。性能參數包括調頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置,特定包裝材料,符合相關標準,適用于通信、精密儀器、工業自動化設備等。
Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計,具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點,優化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型,廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動等領域,包括工業和汽車應用,特別是車規級產品。
CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝,適用于高頻率穩定性和低抖動應用,工作電壓為3.3V或5.0V,頻率穩定性為±25ppm或±50ppm,溫度范圍為-20至70°C,頻率范圍為1.0至156.25MHz,負載電容為15pF(LVCMOS)或50pF(HCMOS),存儲溫度為-55至125°C,采用密封陶瓷封裝,符合RoHS標準的無鉛焊接。
IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用SOT-23封裝,專為低功耗和低頻率應用設計,具備寬廣的安全工作區域、行業標準認證、低頻應用中的高性能等特點,適用于DC開關、負載開關等應用,技術規格包括最大漏極電流-4.3A、導通電阻最大50mΩ等,非常適合電源管理、電機控制和電池供電設備。
Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管,專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內部匹配設計以及優秀的數字預失真能力。適用于多載波應用,提供高帶寬和高數據速率,技術參數包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。
Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本,電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置,提供多種選擇。該電容器可線焊,采用特定介質和基板,尺寸小,用于微波電路混合封裝。其電氣規格涵蓋工作電壓、損耗因數、Q值、溫度系數和工作溫度范圍等。
Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交換機,具備50個通道和端口,支持高速數據傳輸、低延遲和靈活的fabric拓撲結構,特別適合數據中心和云服務提供商。它具備嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架構、48個DMA通道、消除PCIe拓撲限制、專為NVMe AFA系統設計、生命周期活躍功能、雙管理端口、低功耗SerDes等特性,旨在構建高性能、低延遲、可擴展的PCIe fabrics。
QTCV356系列VCXOs(壓控晶體振蕩器)是一款集成了5Vdc或3.3Vdc時鐘方波發生器和微型條形AT石英晶體的低高度陶瓷封裝振蕩器,適用于低電壓應用。其主要特性包括寬頻率范圍(1.000MHz到156.250MHz)、小尺寸(3.2 x 5mm)、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL邏輯類型、5.0Vdc或3.3Vdc供電電壓、-40oC到+85oC的工作溫度范圍、Tri-State輸出、密封陶瓷封裝、基本和第三泛音設計、符合MIL-PRF-55310標準的軍事級篩選測試,以及無鉛和RoHS合規。該系列產品廣泛應用于槍械發射彈藥和系統、智能彈藥、儀器儀表、以太網/同步、SONET、微處理器時鐘等領域。
Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設計中發揮關鍵作用,適用于電源管理、信號過濾等領域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值,低直流電阻(33 mΩ)、高飽和電流(178 A),工作溫度范圍寬(-40℃至125℃),精度±10%至±15%。其緊湊尺寸(10.0x6.0~6.2x12.0mm)和嚴格的質量控制確保了在多種應用中的高效率和可靠性。
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