105883AK-1反激式變壓器,由VANGUARD ELECTRONICS生產,適用于反激式轉換應用。特點包括:電感3.30uH±5%,漏感0.5uH,直流電阻6mOHMS,絕緣電壓1000VAC,尺寸0.8×0.65×0.5英寸,重量約10克,適用于商業級以上環境。
Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N溝道JFET,符合軍用標準,具有低導通電阻、快速開關和高隔離性能。支持耐輻射和多種溫度范圍。
ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器,電壓3kV至250kV DC,電容最大2.000 μf,公差±10%,絕緣電阻25-50k ΩF,耗散因數<0.6%,多種外殼材料,操作溫度-55°C至125°C,符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。
Interpoint的FMCE-0528 EMI濾波器專為28V應用設計,符合MIL-STD-461標準,適用于軍事和航空航天領域。它支持5A電流,500kHz時衰減60dB,工作溫度范圍-55°C至+125°C,并具有低直流電阻和小尺寸封裝特點。此外,它與Interpoint的多個DC/DC轉換器系列兼容,能有效減少輸入紋波電流。
Bliley Technologies的BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO是一款高精度恒溫晶體振蕩器,適用于高穩定性和高精度應用。其頻率范圍為5.00至100 MHz,具有優異的頻率老化和相位噪聲性能。該產品支持寬工作溫度范圍(-40°C至+85°C),適用于高頻控制、微波應用和緊密時序控制等領域。
Linear Systems 3N163和3N164是高性能p溝道MOSFET,具有高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、快速切換和低電容特性,適用于電子電路。提供TO-72和SOT-143封裝。
QTCH500HCD9M-20.000MHz高溫晶振由Q-Tech公司生產,是一款高精度石英晶體振蕩器,采用雙列直插(DIP)形式,封裝在DIP-8配置的金屬通孔封裝中。頻率范圍從1MHz到48MHz,供電電壓從1.8Vdc到5.0Vdc,該晶振適用于廣泛的軍用時鐘應用,包括智能彈藥、導航、工業控制、微控制器驅動程序以及井下溫度可達+200oC的環境。
VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產的高頻陶瓷圓片電容器,電容值0.0022uF,公差±20%,采用徑向端接,引線直徑0.6毫米,間距10毫米。設計由兩面鍍銀的陶瓷盤組成,連接引線為鍍錫銅包鋼,封裝為阻燃環氧樹脂,符合UL 94 V-o標準。符合IEC 60384-14標準,適用于X1和Y1類安全電容器,主要用于行對行濾波、線路對地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。
SD11720是一款SiC N溝道功率MOSFET,由Solitron Devices, Inc.推出,專為高效率和可靠性的功率電子應用設計。采用先進的碳化硅技術,提供卓越的電氣和熱性能,適用于工業和能源應用。主要特點包括58A漏極電流、50mΩ導通狀態電阻和TO-247-3塑料封裝。優勢包括低導通電阻的高阻斷電壓、低電容的高速開關、高工作結溫能力(高達175°C)和較強的內置體二極管性能。應用領域包括太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅動器、高電壓直流/直流轉換器和開關模式電源。SD11720的高性能和廣泛應用使其成為功率電子領域的關鍵組件,滿足現代系統對高效率和高可靠性的要求。
PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器是一款高性能放大器,專為225-400MHz頻率范圍設計,適用于無線通信和雷達系統。主要特點包括低噪聲系數、密封模塊設計、寬帶性能、優異的單位可重復性和寬工作溫度范圍(-50°C到100°C)。典型電氣規格包括225-400 MHz頻率、+28.0V集電極供電、+5.1 V偏置供電、1.0Amp集電極供電電流、30-42 dB功率增益、<7dB增益變化、> +34 dBm 1 dB增益壓縮、>87 %上調制、<-80 dBc雜散、3:1 Max輸入VSWR、-25°C到70°C工作溫度和-55°C到125°C存儲溫度。應用領域包括無線通信系統、雷達系統、衛星通信、廣播電視等,其優異性能和可靠性使其成為這些應用中的理想選擇。
Ampleon的BLP05H6350XRG是一款高性能LDMOS功率晶體管,專為HF至600 MHz頻段的廣播和工業應用設計,具有350瓦標稱輸出功率。特點包括輕松電源控制、集成ESD保護、出色堅固性、高效率(75%漏極效率)、優異熱穩定性、寬帶工作設計,并符合RoHS指令。應用領域包括工業、科學和醫療設備,以及廣播發射機。技術規格包括10600 MHz頻率范圍、350 W P1dB、脈沖射頻測試信號、26.5至27.5 dB功率增益、-10 dB輸入回波損耗和71至75%漏極效率。
Rogers的RO4360?高頻層壓板專為高頻放大器設計,具有優異的6.15介電常數和0.003損耗因子,采用陶瓷填充和玻璃纖維增強,符合環保標準,兼容標準PCB加工,具有280oC高Tg和30 PPM/oC低CTE,確保多層電路可靠性。適用于高頻應用如功率放大器和貼片天線,支持無鉛工藝,為特定設計需求提供解決方案。
CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產的高性能 CMOS 靜態隨機存取存儲器(SRAM)芯片,具有45 ns訪問速度,工作溫度范圍為-40 °C 至 +85 °C(工業級)和-40 °C 至 +125 °C(汽車級E),電壓供應為4.5 V 至 5.5 V,與CY62128B系列芯片引腳兼容,低功耗(待機電流典型值1 μA,工作電流典型值1.3 mA),支持存儲擴展和自動斷電,采用CMOS工藝和環保封裝。該芯片組織為128K字×8位,適用于便攜式設備、工業控制系統、汽車電子和通信設備等應用。
PMTA-0223-30-2是Princeton Microwave生產的低噪聲放大器,專為2 GHz至20 GHz的高頻應用設計。該放大器提供至少30 dB的增益,噪聲系數為2.5 dB,具有50Ohm輸入/輸出匹配,工作溫度范圍為-50°C至+100°C(具體操作溫度為-40°C至85°C)。電氣規格包括增益平坦度±1.25 dB、輸入/輸出回波損耗-10 dB、輸出功率至少16 dBm、操作直流電壓12 Volts、電流100 mA,配備SMA Female射頻接口和DC Connector直流接口。絕對最大額定值包括直流電壓20 Volts、射頻輸入功率5 dBm、存儲溫度-55°C至150°C。
IPC100N04S5-1R2是一款由英飛凌(Infineon)生產的N溝道增強型MOSFET,屬于OptiMOS? 5系列,專為汽車應用設計。該器件通過AEC-Q101認證,具有1.2 mΩ的低導通電阻和100 A的高連續漏極電流,適合高效率和高性能的汽車系統。產品參數包括40 V的漏源電壓、100 A的連續漏極電流、400 A的脈沖漏極電流、480 mJ的單次脈沖雪崩能量、±20 V的柵源電壓、150 W的功耗。
PL1374變壓器iNRCORE是一款高可靠性表面貼裝變壓器,尺寸緊湊為7.62 × 7 × 6.35毫米,適用于空間受限的電子設備。它采用6-Pin封裝和SMT安裝方式,具有1CT:1CT的匝數比,最大直流電阻為800 mΩ,工作溫度范圍為-55°C至+125°C。表面處理為錫/鉛(Sn63/Pb37),濕度敏感等級為3級,不符合RoHS標準,但具有軍用航空級(Mil-Aero)等級。隔離電壓為1500 VRMS,采用環氧樹脂封裝,適用于極端環境下的穩定性和可靠性要求高的應用。
LCMXO3L-4300C-5BG400I FPGA,由Lattice半導體生產,基于65納米工藝,擁有4300個邏輯元件,92Kbit嵌入式存儲和34個塊RAM,支持335個用戶I/O引腳和多種I/O電壓,采用400引腳BGA封裝,適用于工業溫度范圍,支持在系統可編程性和設計安全保護,是復雜應用的理想選擇。
DATEL 5962-9057001HXC 12位DAC,具有3微秒穩定時間,適用于高精度數模轉換,支持±5mA輸出電流和多種輸出電壓范圍,如±2.5V, 5V,±5V或0至+10V,DDIP封裝,工作溫度-55°C至+125°C,適用于精密控制系統、測試和測量設備等高要求應用。
OH320-LA-61003CV VCOCXO,由Connor-Winfield生產,提供10.0 MHz和12.8 MHz頻率,3.3 Vdc電源,SM-FR4封裝,頻率穩定性±10 ppb,工作溫度-40至85℃,LVCMOS輸出,適用于高精度頻率控制應用,如通信、測量和導航。
R7F100GAG2DSP#AA0是Renesas的RL78/G23系列微控制器,以其超低功耗和多功能著稱。它支持1.6V至5.5V電壓范圍,最高32MHz頻率,內置768KB閃存和48KB RAM。該微控制器集成電容式觸摸傳感單元和事件鏈路控制器,提供30至128引腳封裝選項,并配備快速原型開發板和易于使用的GUI。適用于家用電器、消費電子和工業設備等,特別適合低功耗應用。
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